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《半导体技术》 2002年08期
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1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现

马晓民  王文骐  
【摘要】:介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。

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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 张华斌;SiGe HFIC宽带低噪声放大器的研究[D];电子科技大学;2006年
2 石峰;CMOS低噪声放大器的设计[D];电子科技大学;2006年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前5条
1 袁小云;应用与GPS前端的CMOS低噪声放大器的研究与设计[J];微电子技术;2003年04期
2 吴兴源,吴飞,刘中原;低噪声晶体管放大器的设计[J];西南师范大学学报(自然科学版);1994年02期
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5 陶乃勇,傅海阳;SDH微波功放三阶交调消除电路研究[J];无线通信技术;2001年01期
【二级引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【相似文献】
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9 马晓民,王文骐;1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现[J];半导体技术;2002年08期
10 刘畅,陈学良,严金龙,顾伟东;新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型片上集成电感(英文)[J];半导体学报;2002年04期
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