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《半导体技术》 1999年05期
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用正偏二次击穿测量法验证大功率器件的可靠性

陈克明  
【摘要】:介绍了一些比较简单的提高大功率器件可靠性的老化、筛选措施。
【作者单位】电力总公司扬州电讯仪器厂!扬州225003
【分类号】:TN323.4;TN307

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【引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 倪振文,王俊年,吕振肃,沈洪远;高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全[J];兰州大学学报(自然科学版);2003年01期
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 王继春,卞岩,谢嘉慧,李学信,程尧海;提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路[J];半导体技术;1994年01期
【相似文献】
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1 杜行尧;射频功率晶体管可靠性设计研究[J];半导体技术;1980年01期
2 潘骏业;戴培英;;双扩散工艺制造300W硅低频大功率晶体管[J];郑州大学学报(理学版);1980年02期
3 吴光尉;;行扫描晶体的可靠性——高反压台面晶体管的二次击穿耐量、下降时间和击穿电压[J];电视技术;1980年01期
4 陈元钦;用POCl_3作源进行磷处理[J];半导体技术;1981年01期
5 里白;晶体管的特性、选择和使用(三)[J];半导体技术;1982年02期
6 ;作者与读者[J];半导体技术;1982年02期
7 DAVID W.GREVE ,LUAN V.TRAN ,严礼华;用于存储器冗余技术的多晶硅n~+p-n~+结构[J];微电子学;1982年06期
8 季超仁,徐志平,赵国柱;VVMOS功率晶体管的负阻击穿[J];电子与信息学报;1982年06期
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10 贺庆荣;为晶体管变换器最佳设计选择缓冲器和钳位器[J];电讯技术;1982年04期
中国重要会议论文全文数据库 前3条
1 叶新民;马宪民;;改善大功率晶体管直流斩波器的措施[A];第十一届全国煤矿自动化学术年会论文专辑[C];2001年
2 李萍;来萍;郑廷圭;;双极型微波功率晶体管热失效原因分析[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年
3 胡元峰;虞孝麒;;基于雪崩电路原理产生高压短脉冲的初步研究[A];第十三届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(上册)[C];2006年
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1 山西 田黎东;微电子行业中静电放电(ESD)的防护技术[N];电子报;2008年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 姜治北;高功率微波作用下的计算机系统失效机理研究[D];电子科技大学;2006年
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