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《半导体技术》 1989年06期
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电子陷阱的雪崩注入测量方法

蔡跃明  吕世骥  
【摘要】:本文从俘获动力学出发,推导了荷电陷阱引起的平带电压变化量随时间变化的一般形式,并对SiO_2膜中的电子陷阱密度、能级和俘获截面进行了测量.结果表明测量陷阱密度时不能忽略激发因素的影响.

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