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《半导体光电》 1998年05期
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多片LPE生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs单晶薄膜

陈庭金  袁海荣  刘翔  
【摘要】:介绍了一种新的“分离三室水平推挤式多片外延舟”,可在国产水平外延炉中实现多片单晶薄膜外延。同时,研究了适合于多片外延的各种工艺条件。用于研制的p+-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAs太阳能电池,AM0,25℃,120mW·cm-2的转换效率达到19.8%。
【作者单位】云南师范大学
【分类号】:TN304.26

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【引证文献】
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【共引文献】
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