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《半导体光电》 2011年02期
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PECVD制备氮化硅薄膜的研究

赵崇友  蔡先武  
【摘要】:采用PECVD法制备了氮化硅薄膜,探讨了沉积参数对氮化硅薄膜折射率的影响和衬底温度对氮化硅薄膜形貌和成分的影响规律。结果表明,不同的NH3流量可改变反应腔体内的氮硅比,对氮化硅的折射率,即减反射性能影响较大;衬底温度是影响氮化硅薄膜形貌和成分的主要因素;在衬底温度达到400℃时,形成了白色团状或岛状的氮化硅膜。
【作者单位】中国电子科技集团公司第四十八研究所;
【分类号】:O484.41

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【引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 李世杰;多晶硅太阳能电池酸腐蚀制绒研究[D];北京交通大学;2012年
【参考文献】
中国期刊全文数据库 前5条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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中国重要会议论文全文数据库 前1条
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中国博士学位论文全文数据库 前1条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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中国硕士学位论文全文数据库 前4条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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7 黄创君,林璇英,林揆训,余云鹏,余楚迎,池凌飞;SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜[J];功能材料;2002年06期
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10 王大刚;张德坤;;PECVD法硅基氮化硅薄膜的制备及其耐磨性研究[J];润滑与密封;2009年03期
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5 龚灿锋;席珍强;王晓泉;杨德仁;阙端麟;;热处理对氮化硅薄膜光学和电学性能的影响[J];太阳能学报;2006年03期
6 张瑞丽;杜红文;张亚萍;杜平凡;问明亮;张秀芳;席珍强;;PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究[J];浙江理工大学学报;2010年02期
7 刘志平;赵谡玲;徐征;刘金虎;李栋才;;PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究[J];太阳能学报;2011年01期
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10 陈治宇;吕知秋;张锦文;金玉丰;李婷;田大宇;王颖;;PECVDSiO_2/Si_3N_4双层膜驻极体性能[J];功能材料与器件学报;2008年01期
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1 张檀威;黄辉;蔡世伟;黄永清;任晓敏;;PECVD法沉积氮化硅薄膜性质工艺实验研究[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集(下册)[C];2009年
2 叶小琴;王文静;李艳;励旭东;许颖;周宏余;;PECVD沉积氮化硅薄膜在生长及退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用[A];21世纪太阳能新技术——2003年中国太阳能学会学术年会论文集[C];2003年
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4 刘晓亭;陈茜;罗静;王文宇;陈皓;;多孔石英陶瓷上化学气相沉积氮化硅薄膜[A];2011年全国青年摩擦学与表面工程学术会议论文集[C];2011年
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6 衡阳;许颖;李仲明;于元;;磁控溅射氮化硅薄膜的特性及其在太阳电池上的应用[A];中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集[C];2001年
7 陈小锰;徐军;邓新绿;朴勇;高鹏;董闯;;Si掺杂对DLC薄膜结构和性能的影响[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
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10 王瑞春;沈鸽;袁骏;张溪文;赵高凌;翁文剑;韩高荣;杜丕一;;Al金属诱导氢化非晶硅(a-Si:H)晶化的研究[A];2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
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9 丁万昱;微波ECR磁控溅射制备超薄a-SiN_x薄膜及其特性研究[D];大连理工大学;2007年
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