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《半导体光电》 2008年06期
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掺杂超晶格量子阱作为光学双稳态器件的可能性

胡西多  罗诗裕  邵明珠  
【摘要】:引入正弦平方势来描述掺杂超晶格由于交替掺杂引起的导带周期性调制,并提出了一种获得光学双稳态的新概念。指出了只须在超晶格量子阱的两端加上一个直流电场和交变电场,便可以用它作为光学双稳态器件。在经典力学框架内和小振幅近似下,考虑到运动阻尼和外场作用,粒子运动方程化为了具有硬弹簧特性的Duffing方程。用摄动法找到了系统的近似解,并分析了共振线附近粒子的运动行为与系统的稳定性。结果表明,粒子的振幅平方与外场振幅平方的关系曲线出现了后弯现象,正是这个后弯现象决定了系统存在双稳态,也正是这个双稳态效应决定了掺杂超晶格可望作为光子或光电子技术中新的记忆元件或存储元件。
【作者单位】东莞理工学院;
【分类号】:O471.5

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前7条
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【相似文献】
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