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《半导体光电》 2008年03期
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InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响

孔令民  姚建明  吴正云  
【摘要】:采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小,且向长波长移动。InGaAs/InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能,使得室温发光波长超过1.3μm;在10~300 K温度范围内,发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高,InAs量子点的发光寿命首先增大,当温度升高到临界温度TC后,发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品,其发光寿命具有不同的温度关系,联合盖帽层样品具有较大的TC及发光寿命。根据应力及载流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 孔令民;蔡加法;陈厦平;朱会丽;吴正云;牛智川;;多层InA s量子点的光致发光研究[J];半导体光电;2005年06期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 孔令民;蔡加法;陈厦平;朱会丽;吴正云;牛智川;;多层InA s量子点的光致发光研究[J];半导体光电;2005年06期
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 孔令民;InAs自组织量子点的光学性质研究[D];厦门大学;2005年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 孔令民;蔡加法;陈厦平;朱会丽;吴正云;牛智川;;多层InA s量子点的光致发光研究[J];半导体光电;2005年06期
2 朱天伟,徐波,何军,赵凤瑷,张春玲,谢二庆,刘峰奇,王占国;InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究[J];物理学报;2004年01期
3 赵凤瑷,张春玲,王占国;半导体量子点及其应用(Ⅰ)[J];物理;2004年04期
【相似文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前3条
1 何焜;GSMBE生长的InAs量子点材料与器件研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2008年
2 吴殿仲;带有InGaAs覆盖层的InAs量子点红外探测器材料的分子束外延生长[D];首都师范大学;2009年
3 艾峥;1.3微米量子点激光器材料发光特性研究[D];长春理工大学;2012年
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