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《半导体光电》 2006年05期
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溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触结构和性能的影响

张兴刚  刘正堂  孙金池  闫锋  刘文婷  
【摘要】:采用直流磁控溅射工艺,以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,随溅射功率的增加沉积速率增大。I-V测试表明在高阻CdZnTe上溅射Au薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性能,溅射功率为100 W时的接触性能好于功率为40 W和70 W时的接触性能。

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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【参考文献】
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【共引文献】
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中国博士学位论文全文数据库 前5条
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中国硕士学位论文全文数据库 前5条
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【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前7条
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中国博士学位论文全文数据库 前1条
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【二级引证文献】
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【相似文献】
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中国重要报纸全文数据库 前10条
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4 王桂兰 杨春莉;强生膜推出高端建筑陶瓷膜[N];中国建材报;2010年
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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3 李竹影;WO_3薄膜及器件的电致变色性能研究[D];华中科技大学;2005年
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