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《半导体光电》 1995年01期
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Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验

李国正  张浩  高勇  刘西钉  刘恩科  张翔九  卢学坤  王迅  
【摘要】:设计了一种新结构的Ge_xSi_(1-x)/Si近红外探测器,它是在p-Si衬底上分子束外延生长2μm厚的Ge_(0.1)Si_(0.9)本征层,再在其表面离子注入形成一薄层n+层,腐蚀成台面后,构成Ge_(0.1)Si_(0.9)/Sip-i-n型的近红外探测器。试验表明,它具有良好的I-V特性和光电特性。
【作者单位】西安交通大学电子工程系 复旦大学物理系
【分类号】:TN215

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【引证文献】
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1 杨红卫,吴实;硅基红外探测器的研究进展[J];物理与工程;2002年03期
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【二级引证文献】
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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3 邢锐;14~16.25μm红外探测器时间常数测量方法的研究[D];长春理工大学;2011年
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5 刘倩;非致冷红外探测器后端工艺技术研究[D];华中科技大学;2011年
6 王楷群;热电堆红外探测器的设计与性能测试[D];中北大学;2010年
7 葛枢;14-16.25微米红外探测器响应率测试系统研究[D];长春理工大学;2012年
8 姜啸宇;红外阵列探测器及边缘检测的研究[D];天津理工大学;2012年
9 董欣;新型硅基红外探测器的研制[D];北京工业大学;2000年
10 王高峰;线列红外探测器成像与评价系统设计[D];天津大学;2012年
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