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《半导体光电》 1983年01期
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高亮度GaP绿色发光二极管

T. Niina  付灿鑫  
【摘要】:正 采用厚溶液、低温液相外延(LPE)的生长办法研制出了高亮度GaP绿色发光二极管(LED)。为了获得高质量的P-n结,选定了最佳化的LPE生长条件。特别是要减少非辐射复台中心,必须大大地降低靠近结的n-GaP的载流子浓度。本研究工作中,采用水平滑动的LPE系统,该系统相似于Saul和Roccaseca所采用的。Ga溶液含有过饱和的GaP,并在Ga溶液上盖一块GaP,通过溶液槽流到石墨舟孔
【作者单位】三洋电气公司研究中心

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