紫外线厚胶光刻技术研究及应用
【摘要】：紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。
【作者单位】：
清华大学微电子学研究所 清华大学微电子学研究所 清华大学微电子学研究所 清华大学微电子学研究所
【关键词】： 紫外厚胶光刻 SU- AZ D MEMS
【分类号】：TN305.7
【DOI】：CNKI:SUN:BDTQ.0.2003-Z1-045
【正文快照】：
【关键词】： 紫外厚胶光刻 SU- AZ D MEMS
【分类号】：TN305.7
【DOI】：CNKI:SUN:BDTQ.0.2003-Z1-045
【正文快照】：
1 引 言近年来 ,以固态传感器与微执行器为主导的微机械技术迅速发展 ,并在力敏传感器和加速度传感器等领域有了突破性的进展。由于MEMS结构的特殊性 ,在传统的IC工艺基础上研究与之相适应的新工艺是MEMS持续发展的基础。其中 ,紫外厚胶光刻工艺作为高深宽比微机械制造的关
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