| | | | | 低压化学气相淀积的计算机模拟 | | | 王季陶 | | | <正> 本文对LPCVD多晶硅淀积速率分布进行了计算机模拟.模拟算式的推导如下: 1.据Duchemin报道,硅烷热分解是一级反应.淀积速率r=K·P·C(K是常数,P是总压力,C是硅烷浓度). 2.由于薄膜淀积均匀,可假定径向浓度梯度为零.硅烷进入反应管后,逐步分解.因此硅烷转化率η可写成是片子位置j的函数η(j)(见右上图).
【作者单位】：复旦大学
【DOI】：CNKI:ISSN:0253-9608.0.1980-04-038
【正文快照】：
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